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Foto Kaminski

Herr
Prof. Dr.-Ing. Nando Kaminski

Fachbereich 01
Physik/Elektrotechnik Physik/Elektrotechnik

E-Mail: nando.kaminski@uni-bremen.de

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Zugehörigkeiten

Zugehörigkeit zu einem universitären Institut
Kürzel Bezeichnung deutsch Bezeichnung englisch Funktion Schlagwörter deutsch Schlagwörter englisch
IALB  Institut für elektrische Antriebe, Leistungselektronik und Bauelemente  Institute for Electrical Drives, Power Electronics, and Devices  Leiter/Sprecher  Leistungshalbleiterbauelemente  Power Semiconductor Devices 
BCM  Bremer Centrum für Mechatronik  Bremen Center of Mechatronics  Mitglied     




Forschungsthemen
Ingenieurwissenschaften
» Elektrotechnik und Informationstechnik


Kooperationen

WissenschaftlerInnen mit Kooperation
Institution Stadt Kategorie Herkunftsland
Infineon Technologies AG Neubiberg Unternehmen Deutschland



Projekte

Bedeutendste Projekte
Kürzel Bezeichnung deutsch Bezeichnung englisch Kooperationspartner Mittelgeber Laufzeit
Nest-DC Neuartige elektronischen Leistungsschutzschalter für Gleichspannung im Bereich der erneuerbaren Energien und Bordnetze Infineon Technolgies AG, Neubiberg; EADS, Ottobrunn; E-T-A GmbH, Altdorf, Siemens AG, ZT, München BMBF 2013 - 2016
LES-InduKOCH Innovative Schaltungskonzepte und Bauelemente Infineon Technologies AG, Neubiberg; E.G.O. Elektro-Gerätebau GmbH, Oberderdingen BMBF 2010 - 2013


Mittelgeber der letzten fünf Jahre (Öffentliche Einrichtungen und Stiftungen)
» BMBF


Mittelgeber der letzten fünf Jahre (Unternehmen)
Firmenname Herkunftsland Laufzeit
ABB AG Schweiz 2009-2013
Bosch Power Tec GmbH Deutschland 2012-2013



Wissenschaftliche Aktivitäten

Bedeutendste Publikationen
SiC and GaN Devices - Competition or Coexistence?
Art
Autor/enN. Kaminski, O. Hilt
Jahr2012
InProceedings of the CIPS’12 (ETG-Fachbericht 133)
Seiten393-403
Konferenzbeitrag
 
State of the art and the future of wide band-gap devices
Art
Autor/enN. Kaminski
Jahr2009
InProceedings of the EPE’09
Seiten1-9
Konferenzbeitrag
 
Dynamics of Incomplete Ionized Dopants and Their Impact on 4H/6H SiC Devices
Art
Autor/enM. Lades, W. Kaindl, N. Kaminski, E. Niemann, G. Wachutka
Jahr1999
InIEEE Transactions on Electron Devices
Jahrgang46
Heft3
Seiten598-604
Doi10.1109/16.748884
Zeitschriftenaufsatz
 
Experimental Characterization and Numerical Simulation of the Electrical Properties of Nitrogen, Aluminum, and Boron in 4H/6H-SiC
Art
Autor/enW. Kaindl, M. Lades, N. Kaminski, E. Niemann, G. Wachutka
Jahr1999
InJournal of Electronic Materials
Jahrgang28
Heft3
Seiten154-160
Doi10.1007/s11664-999-0006-1
Zeitschriftenaufsatz
 
SiC merged p-n Schottky rectifiers for high voltage applications
Art
Autor/enR. Held, N. Kaminski, E. Niemann
Jahr1998
InMaterial Science Forum
Heft264-268
Seiten1057-1060
Doi10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.1057
Konferenzbeitrag
 


 


Ressourcen
 




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