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Foto Gutowski

Mr.
Prof. Dr. J√ľrgen Gutowski

Faculty 01
Physics/Electrical Engineering Physics/Electrical Engineering

E-Mail: gutowski@ifp.uni-bremen.de

Affiliations | Research Topics | Cooperations | Projects | Scientific Activities | Resources


Affiliations

High-Profile Areas
» Materials Science and Production Engineering


Graduate program
» Postgraduate International Programme in Physics and Electrical Engineering (pip)


Affiliation to an institute
Code Indication deutsch Indication englisch Funcition Keywords deutsch Keywords englisch
IFP  Institut f√ľr Festk√∂rperphysik  Institute of Solid State Physics  Member  - Halbleiteroptik - Halbleiterepitaxie - Oberfl√§chenphysik - Elektronenmikroskopie  Semiconductor Optics Semiconductor Epitaxy Surface Physics Electron Microscopy 



Affialation to a work group
Code Indication deutsch Indication englisch Faculty Keywords deutsch Keywords englisch
IFP  Bereich Halbleiteroptik  Semiconductor Optics  F01  Halbleiteroptik  Semiconductor Optics 




Research Topics
Natural sciences
» Condensed Matter Physics
» Optics, Quantum Optics and Physics of Atoms, Molecules and Plasmas
Engineering
» Materials Science


Cooperations

Researchers with cooperation
Institution City Category Country of origin
Prof. Carsten Ronning Jena University Germany Germany
Prof. Dr. M. Grundmann Leipzig University Germany Germany
Dr. R. Schmidt-Grund Leipzig University Germany Germany
Prof. Dr. A. Waag Braunschweig University Germany Germany
Prof. Dr. U. Peschel Erlangen University Germany Germany
Prof. Dr. F. Tegude Duisburg University Germany Germany
Dr. W. Prost Duisburg University Germany Germany
PD Dr. S. Christiansen Erlangen University Germany Germany
Prof. Dr. S. Waldvogel Mainz University Germany Germany
Prof. Dr. T. Frauenheim Bremen University Germany Germany
Dr. A. da Rosa Bremen University Germany Germany
Dr. Apurba Dev Stockholm University abroad Sweden
Prof. Margit Zacharias Freiburg University Germany Germany
Prof. Le Si Dang Grenoble Research Center abroad France



Projects

Projects (Hyperlink)
Link (extern): http://www.ifp.uni-bremen.de/semiconductor-optics/projects/nitride-and-znse-lasers/ http://www.ifp.uni-bremen.de/semiconductor-optics/projects/nitride-and-znse-lasers/


Most significant projects
Code Indication deutsch Indication englisch Cooperation partners Funding sources/agencies Term
FOR 1616 Fortsetzung Forschergruppe Dynamics and Interactiolns of Semiconductor Nanowires for Optoelectronics Research Group Semiconductor Nanowires for Optoelectronics Universitäten Braunschweig, Leipzig, Jena, Erlangen, Mainz, Duisburg-Essen, Bremen DFG 2015 - 2018
Einzelphotonenemission von defektgebundenen Emitt Realisierung eines Einzelphotonenemitters auf Basis defektgebundener Emitter in breitl√ľckigen Halbleitern wie GaN und ZnO Single Photon Emission of Bound Defects Emitters of ZnO and GaN Arbeitsgruppen der Experimentellen sowie der Theoretischen Festk√∂rperphysik des FB 1 der Universit√§t Bremen Universit√§t Bremen, Zentrale Forschungsf√∂rderung 2014 - 2016
SE 1846/1-2 Starke und schwache Kopplung in ZnSe-basierten monolithischen Mikrokavitäten mit lateralem Einschluss DFG 2013 - 2016
FOR 1616 Forschergruppe Dynamics and Interactiolns of Semiconductor Nanowires for Optoelectronics Research Group Semiconductor Nanowires for Optoelectronics Universitäten Braunschweig, Leipzig, Jena, Erlangen, Mainz, Duisburg-Essen, Bremen DFG 2012 - 2015
Niederdim. Halbleiterstrukturen, Quantenpunkte Optische Eigenschaften von Quantenpunkten und Nanodr√§hten auf der Basis breitl√ľckiger Halbleiter Optical Properties of Quantum Dots and Nanowires on the Base of Wide-Gap Semiconductors Universit√§t Bremen 2009 - 2012
ZnSe-based Microcavities Untersuchungen polaritonischer Entartungen bei erh√∂hten Temperaturen in ZnSe-basierten Mikrokavit√§ten Investigations of polariton quantum degeneracy at elevated temperatures in ZnSe-based microcavities Dr. LeSiDang, N√ČEL Institute, CNRS Grenoble, France Drittmittel: DFG 2009 - 2010
BFK-Frauenf√∂rderung, Frau Dr. Kathrin Sebald Optische Eigenschaften von Quantenpunkten auf der Basis breitl√ľckiger Halbleiter Optical Properties of Quantum Dots based on Wide-bandgap Semiconductors Universit√§t Bremen 2006 - 2009
Optische Eigenschaften von ZnO-Nanos√§ulen Nichtlineare optische Eigenschaften und Ladungstr√§gerdynamik in ZnO-Nanos√§ulen hergestellt durch nass-chemisches Wachstum und Gasphasen-Epitaxie auf unterschiedlichen Substraten Non-linear optical properties and carrier dynamics in zincoxide nanorods fabricated by aqueous chemical growth and vapour-phase epitaxy on different substrates Prof. Dr. Andreas Waag, Institut f√ľr Halbleitertechnik, TU Braunschweig PD Dr. Carsten Ronning, Universit√§t G√∂ttingen Drittmittel: DFG 2005 - 2008
Surface-emitting lasers based on GaN Wachstum und Charakterisierung von kurzwelligen oberflächen-emittierenden Lasern auf der Basis von GaN Growth and characterization of short-wavelength surface emitting lasers based on GaN Prof. Dr. F. Jahnke(Theorie) Prof. Dr. G. Czycholl (Theorie) Dr. R. Kröger (Elektronenmikroskopie) u. A. aus der Forschergruppe "Physics of Nitride-based nanostructured, light emitting devices" Drittmittel: DFG-Forschergruppe 2003 - 2009
Oberflächen-emittierender II-VI-Halbleiterlaser Physik von oberflächen-emittierenden II-VI-Halbleiter-Mikrolasern auf der Basis von selbstorganisierten Quantenpunkten Physics of surface-emitting II-VI semiconductor microlasers based on quantum dots grown by self-organisation Prof. Dr. P. Ryder (Elektronenmikroskopie) Universität Bremen Drittmittel: Volkswagenstiftung 2000 - 2004
Gruppe-III-Nitride Optische Verstärkung in Gruppe-III-Nitrid-Heterostrukturen Gain in Group III-Nitride Heterostructures Dr. W. Haerle, Osram Semiconductors, Regensburg Dr. M. Kamp, (ehemals Universität Ulm) Dr. Ferdinand Scholz (ehemals Universität Stuttgart, jetzt Universität Ulm) Drittmittel: DFG Schwerpunktprogramm 1999 - 2002
Koh√§rente Halbleiteroptik Koh√§rente, nichtlineare Halbleiteroptik Coherent nonlinear semiconductor optics Prof. Dr. W. Faschinger, Universit√§t W√ľrzburg (verstorben 2001),(Epitaxie) Prof. Dr. D. Hommel, Universit√§t Bremen (Epitaxie) Dr. V. M. Axt und Prof. Dr. T. Kuhn, Universit√§t M√ľnster (Theorie) Drittmittel: DFG Schwerpunktprogramm 1999 - 2003
Coulomb-korrlierte Elektron-Loch-Systeme Stark Coulomb-korrelierte Elektron-Loch-Systeme unter Lokalisierung und in √§u√üeren Feldern Strong Coulomb-correlated electron-hole systems under localization and in external fields Prof. Dr. D. Hommel (Bereich Halbleiterepitaxie) Institut f√ľr Festk√∂rperphysik (Probenherstellung) Prof. Dr. W. Faschinger (Universit√§t W√ľrzburg, verstorben 2001, Probenherstellung) Dr. V.M. Axt und Prof. Dr. T. Kuhn (Theorie, Universit√§t M√ľnster) Dr. Drittmittel: DFG 1999 - 2003
II-VI-Wellenleiter und -Modulatoren II-VI-Wellenleiter und -Modulatoren II-VI Waveguides and -modulators Prof. Dr. Hommel, Detlef; Institut f√ľr Festk√∂rperphysik; Bereich Halbleiterepitaxie Prof. Dr. Sch√∂ll, E.; Institut f√ľr Theoretische Physik; Technische Universit√§t Berlin Drittmittel: Deutsche Forschungsgemeinschaft, Schwerpunktprogramm II-VI Halbleiter 1996 - 1997
Stimulierte Emission in II-VI-Halbleitern Stimulierte Emission in II-VI-Halbleitern Stimulated Emission in II-VI Semiconductors Prof. Dr. Hommel, Detlef; Institut f√ľr Festk√∂rperphysik; Bereich Halbleiterepitaxie Prof. Dr. Henneberger, Klaus; Institut f√ľr Theoretische Physik; FB Physik; Universit√§t Rostock Drittmittel: Deutsche Forschungsgemeinschaft, Schwerpunktprogramm II-VI-Halbleiter (1. Teilprojekt), Volkswagenstiftung (2. Teilprojekt) 1996 - 1997
MBE-Wachstum von GaN MBE-Wachstum von GaN auf einem stark fehlangepa√üten Substrat. MBE Growth of GaN on a Strongly Mismatched Substrate. Prof. Dr. Hommel, D.; Institut f√ľr Festk√∂rperpyhsik, Bereich Halbeiteroptik Universit√§t Bremen Prof. Dr. Peter Ryder; Institut f√ľr Werkstoffphysik und Strukturforschung Universit√§t Bremen Drittmittel: Deutsche Forschungsmeinschaft, Schwerpunktprogramm "Gruppe III-Nitride" 1996 - 1997
Ladungstr√§gertransport Ladungstr√§gertransport in II-VI-Quantentrogsystemen Carrier Transport in II-VI-Quantum-Well Systems Dr. Ryvkin, Boris S.; Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Science, St. Petersburg Prof. Dr. Hommel, D. and Prof. Dr. Ohkawa, K.; Institut f√ľr Festk√∂rperphysik, Bereich Halbleiterepitaxie, Universit√§t Bremen Drittmittel: Volkswagenstiftung 1996 - 1998
Zeitaufgelöste Luminezenz Zeitaufgelöste Luminezenz von ZnSe-ZnTe-Übergittern Time Resolved Photoluminescence of ZnSe/ZnTe Superlattices Prof. K. Imai, Hokkaido Institute of Technology, Sapporo, Japan Drittmittel: Yazaki Memorial Foundation for Science and Technology, Japan 1996 - 1997
Mikrocharakterisierung Mikrocharakterisierung von lichtemittierenden Halbleiterstrukturen Microcharacterization of Light Emitting Semiconductor Structures Prof. Dr. D. Hommel; Bereich Halbleiterepitaxie; Institut f√ľr Festk√∂rperhysik; Universit√§t Bremen Prof Dr. Peter Ryder; Institut f√ľr Werkstoffphysik und Strukturforschung; Universit√§t Bremen Drittmittel: ISP-Mittel des Landes Bremen im Forschungsverbund Materialwissenschaften 1996 - 1999
Halbleiter- und Metallcluster Optische Eigenschaften von Halbleiter- und Metallclustern in keramischen und Plasmapolymer-Matrixes Optical Properties of Semiconductor and Metal Clusters in Ceramic and Polymer Matrices. Prof. Dr. G. Schulz-Ekloff; Institut f√ľr Angewandte und Physikalische Chemie; Universit√§t Bremen Prof. Dr. O.-D. Hennemann; Fraunhofer-Institut f√ľr Angewandte Materialforschung Drittmittel: ISP-Mittel des Landes Bremen im Forschungsverbund Materialwissenschaften 1996 - 1999
Phasenkohärenz von Exzitonen Phasenkohärenz von Exzitonen in ZnSe-basierenden Heterostrukturen Phase Coherence of Excitons in ZnSe-based Heterostructures Prof. Dr. A. Stahl, Theoretische Physik, RWTH Aachen Drittmittel: Deutsche Forschungsgemeinschaft, Schwerpunktprogramm "Quantenkohärenz in Halbleitern" 1995 - 1998
Relaxations- und Diffusionsdynamik Relaxations- und Diffusionsdynamik angeregter Ladungsträger in II-VI-Heterostrukturen Dynamics of Relaxation and Diffusion of Excited Carriers in II-VI Heterostructures Universität Bremen 1995 - 1998
Eigenschaften von d√ľnnen II-VI-Schichten Optisch nichtlineare Eigenschaften von d√ľnnen II-VI-Schichten Nonlinear Optical Properties of Thin II-VI Layers Prof. K. Heime, Institut f√ľr Halbleitertechnik, RWTH Aachen Dr. R. Bhargava, Philips Laboratories, New York Doz. Dr. H. Sitter, Universit√§t Linz, √Ėsterreich Prof. Dr. E. Sch√∂ll, Institut f√ľr Theoretische Physik, TU Berlin Drittmittel: DFG im Schwerpunktprogramm "II-VI-Halbleiterstrukturen" 1992 - 1994
Nichtlineare Dynamik Nichtlineare Dynamik der st√∂rstelleninduzierten optischen Bistabilit√§t in II-VI-Halbleitern Nonlinear Dynamics of Impurity Induced Optical Bistability in II-VI Semiconductors Prof. Dr. E. Sch√∂ll, Institut f√ľr Theoretische Physik, TU Berlin Prof. G. Landwehr, Dr. D. Hommel, Universit√§t W√ľrzburg Prof. Dr. K. Heime, Dr. M. Heuken, RWTH Aachen Drittmittel: DFG im Schwerpunktprogramm "II-VI-Halbleiterstrukturen" 1992 - 1994
II-VI-Quantentrogstrukturen Exzitonische Übergänge in II-VI-Quantentrogstrukturen Excitonic transitions in II-VI Quantum well structures Drittmittel: E.A.C. Lange-Stiftung, Bremen 1992 - 1995
Schaltprozesse und Schaltelemente Thermisch induzierte optische und elektrooptische Schaltprozesse und Schaltelemente auf der Basis von II-VI-Halbleitern Thermally Induced Optical and Electrooptical Switching Processes and Switching Devices on the Basis of II-VI Semiconductors. Universität Bremen 1992 - 1995
Donator-Akzeptor-Paare Donator-Akzeptor-Paare in dotierten und kompensierten II-VI-Halbleitern Donor-acceptor-pair Transitions in Doped and Compensated II-VI Semiconductors Prof. Dr. D. Hommel; Bereich Halbleiterepitaxie; Institut f√ľr Festk√∂rperhysik; Universit√§t Bremen Universit√§t Bremen 1992 - 1997


Agencies that have funded your research during the past five years (public institutions and foundations)
» University of Bremen/Central Research Development Fund
» DFG
» BMBF
» BMWi
» Other Federal Ministries
» State of Bremen (without basic finance)


Funding sources during the past five years (enterprises)
Company name Country of origin Term
BJB Germany 6 Monate 2012


Expertise
Sorry - only available in german Halbleiterphysik, -optik, Leuchtdioden und Halbleiterlaser, Detektoren und Solarzellen auf Halbleiterbasis, hybride Nanostrukturen auf Basis von Halbleitern und organischen Materialien.



Scientific Activities


Publications (Hyperlink)
Link (extern): http://www.ifp.uni-bremen.de http://www.ifp.uni-bremen.de


Most significant Publications
Surface Related Optical ZnO Nanowires
Type
Author(s)T. Voss, J. Gutowski
Year2014
InWide Band Gap Semiconductor Nanowires,
Year2014
IssueVol. 1 Low-Dimensionality Effects and Growth, Eds. V. Consonni and G. Feuillet,
Hermes-ISTE-Wiley Edition
Pages81-98
Link zu VolltextLink (extern): http://eu.wiley.com/WileyCDA/WileyTitle/productCd-1848216874.html#see-less-toc http://eu.wiley.com/WileyCDA/WileyTitle/productCd-1848216874.html#see-less-toc
Book Chapter
 
Functional ZnO/Polymer Core-Shell Nanowires Fabricated by Oxidative Chemical Vapor Deposition (oCVD)
Type
Author(s)J.-P. Richters, A. Dev, C. Ronning, J. Gutowski, T. Voss
Year2014
InJournal of Physics D, Appl. Physics
Year2014
Issue47
Pages394004
Doidoi:10.1088/0022-3727/47/39/394004
Link zu VolltextLink (extern): http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/47/39/394004/meta#top http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/47/39/394004/meta#top
Article
 
The Impact of Nanoperforation on Persistent Photocounductivity and Optical Quenching Effects in Suspended GaN Nanomembranes
Type
Author(s)O. Volciuc, T. Braniste, I. Tiginyanu, M.A. Stevens-Kalceff, J. Ebeling, T. Aschenbrenner, D. Hommel, V. Ursake, J. Gutowski
Year2013
InAppl. Phys. Letters
Year2013
Issue103
Pages243113
Link zu VolltextLink (extern): http://dx.doi.org/10.1063/1.4847735 http://dx.doi.org/10.1063/1.4847735
Article
 
Blue-Monolithic II-VI-Based Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser
Type
Author(s)S. Klembt, M. Seyfried, T. Aschenbrenner, K. Sebald, J. Gutowski, D. Hommel, C. Kruse
Year2012
InAppl. Phys. Letters
Year2012
Issue100
Pages121102
Link zu VolltextLink (extern): http://dx.doi.org/10.1063/1.3696029 http://dx.doi.org/10.1063/1.3696029
Article
 
Optical Properties of InGaN Quantum Dots in Monolithic Pillar Microcavities
Type
Author(s)K. Sebald, M. Seyfried, J. Kalden, J. Gutowski, H. Dartsch, C. Tessarek, T. Aschenbrenner, C. Kruse, D. Hommel, M. Florian, F. Jahnke
Year2010
InAppl. Phys. Letters
Year2010
Issue96
Pages251906
Link zu VolltextLink (extern): http://dx.doi.org/10.1063/1.3456376 http://dx.doi.org/10.1063/1.3456376
Article
 


 

First Ph.D. supervisor
Title of the dissertation First name Last name Sex Year
Strukturierung von Zinkoxid und Galliumnitrid mit Femtosekundenlaserpulsen Ablation, Oberfl√§chenstrukturen und optische Eigenschaften Andreas Schneider männlich 2015
Untersuchungen an funktionalisierten ZnO-Nanodrahtstrukturen: Struktureller Aufbau, elektronische Kopplung und Ladungsträgerdynamik Stephanie Bley weiblich 2015
Starke Kopplung, Lasing und Manipulation der Lichtauskopplung durch Mikrokavit√§ten verschiedener Geometrien Moritz Seyfried männlich 2012

First habilitation reviewer
Title of the habilitation First name Last name Sex Year
Dr. Kathrin Sebald weiblich 2012


Conferences organized by you during the past five years

Titel Year Hyperlink
12th International Symposium on Nonlinear Optics and Excitation Kinetics in Semiconductors (NOEKS12) 2014  



Visiting Scientists
Name Term Institution of origin Country of origin
Kleber Mendonca Brazil
Satoru Seto Japan



Resources


Resources
Sorry - only available in german Halbleiterphysik, -optik, Leuchtdioden und Halbleiterlaser, Detektoren und Solarzellen auf Halbleiterbasis, hybride Nanostrukturen auf Basis von Halbleitern und organischen Materialien.

 




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