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Foto Falta

Herr
Prof. Dr. Jens Falta

Fachbereich 01
Physik/Elektrotechnik Physik/Elektrotechnik

E-Mail: falta@uni-bremen.de

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Zugehörigkeiten

Zugehörigkeit zu einem Wissenschaftsschwerpunkt der Universität Bremen
» Materialwissenschaften und ihre Technologien


Graduiertenprogramme
» "Postgraduate International Programme in Physics and Electrical Engineering" (pip)


Zugehörigkeit zu einem universitären Institut
K√ľrzel Bezeichnung deutsch Bezeichnung englisch Funktion Schlagw√∂rter deutsch Schlagw√∂rter englisch
IFP  Institut f√ľr Festk√∂rperphysik  Institute for Solid State Physics  Mitglied  Oberfl√§chenphysik  Surface Physics 
MAPEX      Mitglied     
      Mitglied     
      Mitglied     



Zugehörigkeit zur Arbeitsgruppe/zur Professur
K√ľrzel Bezeichnung deutsch Bezeichnung englisch Fachbereich Schlagw√∂rter deutsch Schlagw√∂rter englisch
AG Falta  Arbeitsgruppe Oberfl√§chenphysik  Researchgroup Surface Physics  FB01  STM, LEEM, SPA-LEED, XPS  STM, LEEM, SPA-LEED, XPS 




Forschungsthemen
Naturwissenschaften
» Physik der kondensierten Materie
» Physikalische Chemie von Molek√ľlen, Fl√ľssigkeiten und Grenzfl√§chen - Spektroskopie, Kinetik
Ingenieurwissenschaften
» Materialwissenschaften


Kooperationen


Projekte

Bedeutendste Projekte
K√ľrzel Bezeichnung deutsch Bezeichnung englisch Kooperationspartner Mittelgeber Laufzeit
Germanium-Nanostrukturen Herstellung und Charakterisierung geordneter Ge-Nanostrukturen auf Si-Substraten durch Adsorbat-modifiziertes Wachstum Production and Characterization of ordered Ge-nanostructures on Si-substrates by Adsorbat-induced growth Prof. A. Rosenauer (AG Elektronenmikroskopie im Inst. f. Festkörperphysik, Universität Bremen Prof. M. Horn-von Hoegen (Universität Duisburg-Essen) Drittmittel: DFG 2007 - 2010
Nanopartikelfilme Struktur und Ordnung von Nanopartikelfilmen mit Elektronen- und R√∂ntgenbeugung Structure and ordering of nano-particle films investigated by electron- and x-ray diffraction Prof. M. B√§umer (Inst. f√ľr angewandte phys. Chemie, Universit√§t Bremen Prof. H. Weller (Inst. f. phys. Chemie, Universit√§t Hamburg) Prof. D. Hommel (Inst. f. Festk√∂rperphysik, Universit√§t Bremen) Universit√§t Bremen 2006 - 2009
InGaN Growth Modes Wachstumsmodi und Grenzflächen von InGaN Nanostrukturen untersucht mit STM und XSTM Growth modes and interfaces of InGaN nanostructures by planar and cross-sectional STM Prof. D. Hommel (AG Halbleiterepitaxie, Inst. f. Festkörperphysik, Universität Bremen) Prof. A. Rosenauer (AG Elektronenmikroskopie, Inst. f. Festkörperphysik, Universität Bremen) Prof. J. Neugebauer (Dept. of Computational Materials Design, Max-Planck- Drittmittel: DFG 2006 - 2009
Growth modes and interfaces Wachstumsmodi und Grenzflächen von InGaN Quantentrog- und Quantenpunktstrukturen Growth modes and interfaces of InGaN quantum wells and quantum dots PD Dr. J. Neugebauer, Universität Bremen Prof. D. Hommel, Universität Bremen PD Dr. H. Heinke, Universität Bremen Dr. r. Kröger, Universität Bremen Prof. G. Czycholl, Universität Bremen Prof. F. Jahnke, Universität Bremen Drittmittel: DFG, Bonn 2003 - 2006
Surfactant-modifiziertes Ge-Wachstum auf Si(113) Herstellung niederdimensionaler Germanium-Strukturen auf Si(113) durch Surfactant-modifiziertes Wachstum Fabrication of low-dimensional germanium-structures on Si(113) by surfactant-mediated growth Prof. G Materlik, HASYLAB am DESY, Hamburg Dr. R. Kröger, Universität Bremen Prof. P. Ryder, Universität Bremen Drittmittel: DFG, Bonn, Deutschland 2001 - 2004
GaN-Wachstumsuntersuchungen mit STM und GIXD Untersuchungen zu Mechanismen des GaN-Wachstums mit Rastertunnelmikroskopie und Oberfl√§chenr√∂ntgenbeugung Studies of mechanisms of GaN-growth with scanning tunneling microscopy and x-ray surface diffraction Prof. D. Hommel, Universit√§t Bremen Prof. G. Materlik, HASYLAB am DESY, Hamburg Dr. R. Feidenhans¬īl, Ris√∂ National Laboratory, Roskilde, D√§nemark Universit√§t Bremen 2000 - 2003


Mittelgeber der letzten f√ľnf Jahre (√Ėffentliche Einrichtungen und Stiftungen)
» Universit√§t Bremen/Zentrale Forschungsf√∂rderung
» DFG
» Andere EU-Programme
» Land Bremen (nicht Grundmittel)
» DAAD



Wissenschaftliche Aktivitäten


Publikationen (Hyperlink)
Link (extern): https://www.uni-bremen.de/ifp/arbeitsgruppen/oberflaechenphysik-ag-falta/publikationen https://www.uni-bremen.de/ifp/arbeitsgruppen/oberflaechenphysik-ag-falta/publikationen


Bedeutendste Publikationen
Wafer?scale synthesis of graphene on sapphire: toward fab?compatible graphene
Art
Autor/enNeeraj Mishra, Stiven Forti, Filippo Fabbri, Leonardo Martini, Clifford McAleese, Ben R Conran, Patrick R Whelan, Abhay Shivayogimath, Bjarke S Jessen, Lars Bu√ü, Jens Falta, Ilirjan Aliaj, Stefano Roddaro, Jan I Flege, Peter B√łggild, Kenneth BK Teo, Camilla Coletti
Jahr2019
InSmall
Jahrgang2019
Heft15
Seiten1904906
Link zu VolltextLink (extern): https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/smll.201904906 https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/smll.201904906
Zeitschriftenaufsatz
 
The cubic-to-hexagonal phase transition of cerium oxide particles: dynamics and structure
Art
Autor/enJan Höcker, Jon-Olaf Krisponeit, Thomas Schmidt, Jens Falta, Jan Ingo Flege
Jahr2017
InNanoscale
Jahrgang2017
Heft17
Seiten9352-9358
Link zu VolltextLink (extern): https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2017/nr/c6nr09760j/unauth https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2017/nr/c6nr09760j/unauth
Zeitschriftenaufsatz
 
Growth and characterization of epitaxially stabilized ceria(001) nanostructures on Ru(0001)
Art
Autor/enJ.I. Flege, J. Höcker, B. Kaemena, T.O. Mentes, A. Sala, A. Locatelli, S. Gangopadhyay, J.T. Sadowski, S.D. Senanayake, and J. Falta
Jahr2016
InNanoscale
Jahrgang2016
Heft8
Seiten10849-10856
Doi10.1039/C6NR02393B
Zeitschriftenaufsatz
 
Nanoscale origin of mesoscale roughening: real-time tracking and identification of three ruthenium oxide phases in ruthenium oxidation
Art
Autor/enJ.I. Flege, B. Herd, J. Goritzka, H. Over, E.E. Krasovskii, and J. Falta
Jahr2015
InACS Nano
Jahrgang2015
Heft9
Seiten8468
Zeitschriftenaufsatz
 
Alignment of Ge nanoislands on Si(111) by Ga-induced substrate self-patterning
Art
Autor/enTh. Schmidt, J.I. Flege, S. Gangopadhyay, T. Clausen, A. Locatelli, S. Heun, and J. Falta
Jahr2007
InPhys. Rev. Lett.
Jahrgang2007
Heft98
Seiten066104-1
Zeitschriftenaufsatz
 
Structure and composition of GaAs(001) Surfaces (Herausgeber)
Art
Autor/enJ. Falta, R.M. Tromp, M. Copel, G.D. Pettit, and P.D. Kirchner
Jahr1992
InPhys. Rev. Lett.
Jahrgang1992
Heft69
Seiten3068
Zeitschriftenaufsatz
 
Electron diffraction at stepped homogeneous and inhomogeneous surfaces
Art
Autor/enJ. Wollschläger, J. Falta, and M. Henzler
Jahr1990
InAppl. Phys. A
Jahrgang1990
Heft50
Seiten57
Zeitschriftenaufsatz
 


 

ErstgutachterIn Promotionen
Titel der Dissertation Vorname Name Geschlecht Jahr
Strongly Strained Growth of Vanadium Dioxide Thin Films On Microscale Ruthenium Dioxide Islands‚Äú Simon Fischer männlich 2021
Strongly Strained Growth of Vanadium Dioxide Thin Films On Microscale Ruthenium Dioxide Islands Moritz Ewert männlich 2018
In-situ Studien zu Wachstum und Struktur seltenerdoxidbasierter inverser Modellkatalysatoren Jan H√∂cker männlich 2016
Untersuchung von CeOx-, PrOx- und CexPr1-xO2-delta-Filmen auf Si(111) mittels hochenergetischer R√∂ntgen-Photoelektronenspektroskopie Aschkan Allahgholi männlich 2013
Adsorbat-modifiziertes Wachstum ultrad√ľnner Seltenerdoxid-Filme auf Silizium und komplement√§re Studien von Ceroxid auf Ruthenium Bj√∂rn Kaemena männlich 2013
Wachstum und Charakterisierung d√ľnner PTCDA-Filme auf Halbleitersubstraten Christian Schulz männlich 2011
Influence of Group-III-metal and Ag adsorption on the Ge growth on Si(111) and its vicinal surfaces Moritz Speckmann männlich 2011
Herstellung und Charakterisierung d√ľnner Praseodymoxid-Schichten auf Silizium-Substraten als Modellsystem f√ľr die Katalyse und Mikroelektronik Andreas Sch√§fer männlich 2010
Synchrotron Radiation Based Multi-Scale Structural Characterization of CoPt3 Colloidal Nanoparticles Ardalan Zargham männlich 2010
Strukturelle Untersuchungen zur Ga-Adsorption auf Si(110) David Kr√ľger männlich 2009
Growth, Surface Structure and Morphology of Semiconductor Nano-Structures Subhashis Gangopadhyay männlich 2006
Strukturelle Untersuchungen dotierter GaN-Filme mit stehenden R√∂ntgenwellenfeldern Michael Siebert männlich 2006
Wachstum und Charakterisierung von Ge-Nanostrukturen auf Si(113) durch Adsorbat-modifizierte Epitaxie Torben Clausen männlich 2006
Charakterisierung der Photonen-stimulierten Desorption von halogenierten Siliziumoberfl√§chen mit stehenden R√∂ntgenwellenfeldern Jan Ingo Flege männlich 2004

ErstgutachterIn Habilitationen
Titel der Habilitation Vorname Name Geschlecht Jahr
In-situ-Studien zu Wachstum, Struktur und chemischer Reaktivit√§t von √úbergangsmetall- und Seltenerdoxidoberfl√§che Jan Ingo Flege männlich 2015
Halbleiter-Nanostrukturen und selbstorganisierte Ordnungsph√§nomene Thomas Schmidt männlich 2007

Gastwissenschaftleraufenthalte
Name Laufzeit Herkunftsinstitution Herkunftsland
Faisal Alamgir 1 Monat Georgia Institute of Technology, Atlanta Vereinigte Staaten von Amerika
Gabriele Gasperi 3 Monate University of Modena and Reggio Emilia Italien
Gagik Shmavonyan 3 Monate State Engineering University of Armenia, Yerevan Armenien
Gagik Shmavonyan 3 Monate State Engineering University of Armenia, Yerevan Armenien
Jan Lachnitt 12 Monate Charles University, Prague Tschechische Republik
Louis Piper 1 Monat Binghamton University, New York Vereinigte Staaten von Amerika
Nicholas Quackenbush 1 Monat University Binghamton, New York Vereinigte Staaten von Amerika
Subhashis Gangopadhyay 1 Monat BITS Pilani, Pilani, Rajasthan Indien
Subhashis Gangpadhyay 2 Monate BITS Pilani, Pilani, Rajasthan Indien
Thomas Oberm√ľller 1 Monat Universit√§t Graz √Ėsterreich
Tomas Duchon 4 Monate University of Prague Tschechische Republik



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Persönliche Zusatzinformationen


 
ORCID:
https://orcid.org/0000-0002-4154-822X





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